| 解决集成电路漏电和中点电位异常的实例分析 |
| 邱静君; |
| 关键词：集成电路;漏电;中点电位;发射区;缺陷;磷;砷;原子半径 |
| 主要内容：集成电路(IC)制造中,某些工艺的异常会使得相关的扩散区域产生缺陷,导致IC芯片性能异常,圆片中测低良。一款双极功放集成电路芯片,由于NPN管发射区缺陷,引起IC芯片漏电和输出端中点电位异常,导致中测低良。从电路原理出发,分析如何建立中点电 |
| 《微处理机》 2017,38(05):12-15 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号