| 金属钨化学机械研磨清洗缺陷研究及解决方法 |
| 王雷; |
| 关键词：集成电路制造;水痕;化学机械研磨;缺陷 |
| 主要内容：通过研究金属钨化学机械研磨(W CMP)后清洗的一种水痕状的缺陷(Water mark like defect),经过一系列的实验,我们发现这种缺陷产生的原因是具有钨插塞(W Plug)结构的晶片在清洗中WO_3被溶解,并在随后的烘干环节中 |
| 《集成电路应用》 2017,34(08):59-62 |
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