| 抗单粒子翻转的低功耗锁存器设计 |
| 梁华国;李昕;王志;黄正峰; |
| 关键词：单粒子翻转;软错误;C单元;瞬态故障;自恢复 |
| 主要内容：随着CMOS工艺缩减至纳米尺寸,锁存器对空间辐射环境中高能粒子引起的软错误越发敏感.为缓解软错误对锁存器电路的影响,提出一种基于45 nm CMOS工艺的单粒子翻转自恢复的低功耗锁存器.该锁存器使用3个C单元构成内部互锁的结构,每个C单元的 |
| 《计算机辅助设计与图形学学报》 2017,29(08):1549-1556 |
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