| 抗辐射加固CMOS基准设计 |
| 刘智;杨力宏;姚和平;梁希; |
| 关键词：辐射加固;设计加固;带隙基准;动态阈值MOS管 |
| 主要内容：研究了基于0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的电流-电压特性曲线。与常规CMOS工艺PNP晶体管特性对比,得到了带隙电压基准电路设计准则;采用DTMOS和抗辐射设计加固技术,完成了抗辐射加固C |
| 《太赫兹科学与电子信息学报》 2017,15(01):125-128+133 |
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