| 考虑NBTI的动态休眠管尺寸电源门控设计 |
| 袁野;易茂祥;张林;甘应贤;黄正峰;徐辉; |
| 关键词：电源门控(PG);负偏置温度不稳定性(NBTI);性能损失;休眠管(ST);动态 |
| 主要内容：当前纳米互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)集成电路设计中,利用电源门控(power gating,PG)技术来降低静态功耗已成为一种趋势。随着集成电路工艺尺寸的不 |
| 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 2017,40(03):351-356 |
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