| 考虑温度因素的3D芯片TSV容错结构设计 |
| 张玲;梅军进;王伟征; |
| 关键词：堆叠3D芯片;TSV;容错结构 |
| 主要内容：相比于2D芯片,3D芯片具有更高的功率密度和更低的热导率。针对散热问题,多层3D芯片一般采用具有较高热导率的铜填充硅通孔(TSV)。为提高3D芯片的成品率,在温度条件限制下,对3D芯片进行TSV的容错结构设计非常重要。分析了带有TSV的3D |
| 《微电子学》 2017,47(06):797-801+805 |
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