可防误翻转高精度欠压锁存电路设计
 
田磊;姜振益;

关键词:欠压锁存;防误翻转;带隙比较器;高精度;BCD工艺
 
主要内容:在分析传统欠压锁存电路(UVLO:Under voltage lockout)工作原理的基础上,利用VIS 0.4μm BCD工艺设计一种具有防误翻转功能的高精度欠压锁存电路。该电路由3部分组成,以带隙比较器为核心,引入具有迟滞特性的防误翻
 
《中南大学学报(自然科学版)》  2017,48(09):2396-2401
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