| 面向14纳米特征尺寸集成电路后段制程的化学机械抛光 |
| 江亮;雒建斌; |
| 关键词：化学机械抛光;铜互连;特征尺寸;抛光速率;制程; |
| 主要内容：随着超大规模集成电路的发展,特征尺寸由目前的22 nm逐渐减小至14 nm。为了克服由此引发的的一系列问题,铜互连结构发生了巨大变化,包括使用钌替代钽/氮化钽作为阻挡层,使用超低介电常数电介质替代二氧化硅作为绝缘层。上述新型铜互连结构对后段 |
| 《机械工程学报》 2017,53(07):46 |
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