| 抛光垫使用寿命对铜CMP平均去除速率一致性的影响 |
| 江自超;刘玉岭;王辰伟;张凯; |
| 关键词：抛光垫;使用寿命;实时表面形貌控制(RTPC)技术;平均去除速率一致性;同步在线 |
| 主要内容：针对抛光垫的使用寿命对铜膜平均去除速率一致性的影响进行研究,同时采用实时表面形貌控制(RTPC)技术,对抛光过程中,铜膜表面形貌进行实时监控。实验结果表明:抛光垫的使用寿命对铜膜化学机械抛光(CMP)平均去除速率影响很大,使用前期(抛光垫使 |
| 《微纳电子技术》 2017,54(10):715-719 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号