| 三维集成中的TSV技术 |
| 张宁; |
| 关键词：集成电路制造;硅通孔;刻蚀;铜填充;铜暴露 |
| 主要内容：近几年,硅通孔(through-silicon vias,TSV)技术发展迅速,拥有着低功耗、小外形、高性能和高堆叠密度等优势的它得到工业界的广泛认可,具有延续摩尔定律发展的潜力。本文中作者介绍了TSV的工艺流程和关键技术,对蚀刻、分离、金 |
| 《集成电路应用》 2017,34(11):17-22 |
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