| 提高通用IC测试系统瞬态大电流测试可靠性的研究 |
| 刘汝刚;孙曦东; |
| 关键词：VMOS工艺;驱动;测试;J750测试系统;数字波形;绝缘栅双极晶体管 |
| 主要内容：对瞬态大电流的参数进行测试,实质上就是测试桥式驱动集成电路的MOSFET短路电流持续时间。现有的测试手段无法在IC测试系统上实现可靠的全参数测试。鉴于此,以现有的IC测试系统为平台,特别是依托国产IC测试系统,尝试解决瞬态大电流参数测试结果 |
| 《微处理机》 2017,38(06):25-29 |
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