| 同质集成可见光互联芯片（英文） |
| Wei CAI;Bing-cheng ZHU;Xu-min GAO;Yong-c |
| 关键词：同质集成;量子阱二极管;可见光互联;发光探测共存现象 |
| 主要内容：本文采用晶圆级微纳加工技术,基于硅衬底氮化镓晶圆,提出并制备了同质集成发射极、集电极和基极的可见光互联芯片。利用In Ga N/Ga N量子阱二极管器件发光探测共存的特性,芯片的发射极和集电极采用相同的量子阱结构,并通过相同的制备工艺实现。 |
| 《Frontiers of Information Technology & El》 2017,18(09):1288-1295 |
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