| 铜CMP碱性抛光液中氧化剂的电化学行为研究 |
| 贾英茜;牛新环;腰彩红; |
| 关键词：化学机械抛光;电化学;铜;抛光速率;表面粗糙度 |
| 主要内容：化学机械抛光(CMP)工艺是IC工艺中大马士革工序的关键步骤。抛光液的电化学行为研究对抛光质量的控制具有重要意义。采用电化学测试手段,研究碱性抛光液中氧化剂(H_2O_2)对铜表面钝化膜的成膜影响,分析H_2O_2对抛光速率、表面粗糙度的影 |
| 《微电子学》 2017,47(04):586-589+592 |
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