| 微沟槽缺陷的形成与改进 |
| 戴学春; |
| 关键词：集成电路制造;反应离子刻蚀;微沟槽;离子能量;平均自由程;腔体压力;源功率;偏压 |
| 主要内容：随着集成电路密度的不断提高,多晶硅栅的线宽不断变小,栅氧化层的厚度继续变薄,多晶硅的刻蚀变得越来越关键。多晶硅栅的形貌控制,栅氧化层二氧化硅的损失等关键特征已经被普遍关注。多晶硅刻蚀中的另一种现象:微沟槽缺陷(microtrench def |
| 《集成电路应用》 2017,34(12):47-50 |
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