| 新型碱性抛光液对300 mm TaN镀膜片CMP效果评估 |
| 张文倩;刘玉岭;王辰伟;季军;杜义琛;韩丽楠; |
| 关键词：化学机械抛光(CMP);去除速率;表面粗糙度;氮化钽;碱性抛光液 |
| 主要内容：TaN由于其良好的性能广泛用于布线铜与介质之间的阻挡层和黏附层。在对直径为300 mm的TaN镀膜片进行化学机械抛光(CMP)后,对比并分析了两种碱性抛光液对TaN去除速率、片内非均匀性、去除速率选择性和表面粗糙度的影响。结果表明,经过自主 |
| 《半导体技术》 2017,42(11):844-849 |
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