| 一种改进的穿硅电容三维互连技术 |
| 刘松;单光宝; |
| 关键词：三维集成电路(3D IC);三维互连;硅通孔(TSV);电容耦合互连(CCI); |
| 主要内容：针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与 |
| 《微纳电子技术》 2017,54(08):558-564 |
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