| 一种全MOS型超低功耗基准电压源设计 |
| 周勇;胡刚毅;沈晓峰;胡云斌;顾宇晴;陈遐迩; |
| 关键词：全MOS带隙基准源;超低功耗;低温度系数 |
| 主要内容：在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围 |
| 《微电子学》 2017,47(02):164-167 |
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