| 应用基于双权值的门替换方法缓解电路老化 |
| 朱炯;易茂祥;张姚;胡林聪;刘小红;梁华国; |
| 关键词：负偏置温度不稳定性;电路时序违规;双权值;关键门;非门替换 |
| 主要内容：在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)成为影响集成电路可靠性的关键性因素.NBTI效应导致晶体管阈值电压增加,老化加剧,最终使电路时序违规.为了缓解电路的 |
| 《应用科学学报》 2017,35(02):171-180 |
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