在格芯22 FDSOI中后栅偏压可调及对模拟电路设计PPA优势
 
祝晓波;Peter Hang;张弛;Don Blackwell;Vijay Ka

关键词:后栅偏压可调;跨导放大器;比较器;数控振荡器;物联网
 
主要内容:格芯GLOBALFOUNDRIES 22FDX~(22nm FDSOI)工艺是一个差异化的工艺,它能有Fin FET工艺那样的性能,也能有28nm工艺设计技术上的简单和成本优势。这个工艺所具有的后栅偏压可调(back-gate bias)
 
《中国集成电路》  2017,26(10):32-37
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