| CMP在集成电路非金属材料平坦化中的应用（Ⅰ） |
| 谢贤清 |
| 关键词：化学机械抛光（CMP） 超大规模集成电路 非金属材料 化学机械抛光（CMP） 制造工业 绝缘介质 IC制程 |
| 主要内容：化学机械抛光（CMP）工艺由IBM于1984年引入集成电路制造工业，并首先用在后道工艺的金属间绝缘介质（IMD）的平坦化，然后通过设备和工艺的改进用于钨（W）的平坦化，随后用于浅沟槽隔离（STI）和铜（Cu）的平坦化。化学机械抛光（CMP）为近年来IC制程中成长最快、最受重视的一项技术。其主要原因是由于超大规模集成电路随着线宽不断细小化而产生对平坦化的强烈需求。本文重点介绍CMP在集成电路中的非金属材料的平坦化应用。 |
| 《集成电路应用.2006(3).-39-40》 |
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