| MBE制备GaN纳米柱阵列的光学特性 |
| 冉宏霞;王硕;范滔;刘瑞峰;张雨阳;高向明; |
| 关键词：分子束外延(MBE);GaN纳米柱阵列;反射光谱;光致发光光谱;V/Ⅲ比 |
| 主要内容：使用U-4100紫外可见光光度计和QM40稳态/瞬态荧光光谱仪分别对不同V/Ⅲ比分子束外延(MBE)制备的GaN纳米柱阵列进行了测试,分析了V/Ⅲ比对GaN纳米柱表面形貌及发光特性的影响。反射光谱、透射光谱和室温稳态光致发光光谱结果表明:M |
| 《微纳电子技术》 2017,54(01):21-25 |
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