| SiC纳米线初期微观生长模式的理论计算与模拟研究 |
| 翟美欣;李镇江; |
| 关键词:碳化硅(SiC)纳米线;从头算分子动力学;模拟研究 |
| 主要内容:运用从头算分子动力学模拟的方法,模拟研究了气-液-固(VLS)生长机制下碳化硅纳米线(SiC NWs)在镍催化剂表面最初生长阶段的微观生长机理。结果表明:活性碳原子在镍催化剂表面上各位置的吸附能均大于活性硅原子,所以碳原子优先吸附在镍催化剂 |
| 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 2017,38(05):71-75 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |