| 过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展 |
| 张禹;韦习成;余运龙;张浩; |
| 关键词：过渡金属二硫族化合物;FET;器件 |
| 主要内容：过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其 |
| 《人工晶体学报》 2017,46(05):867-873 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号