| 合成硫化铜影响因素的研究进展 |
| 张筱鹏;吴文卫; |
| 关键词：纳米结构半导体;硫化铜;影响因素 |
| 主要内容：由于纳米结构半导体硫化铜具有独特的物化性质,使其在光电材料方面得到广泛应用。本文根据国内外的最新研究进展介绍了水热法和溶剂热法制备硫化铜各种形貌的影响因素:反应物质、溶剂、反应温度、反应时间。同时介绍了不同形貌的带隙能及降解有机污染物的研究 |
| 《硅酸盐通报》 2017,36(01):116-120+133 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号