| 核壳结构的Ga_2O_3-SiO_2纳米同轴电缆的制备及其结构表征 |
| 耿树吉;李玉国;孟津; |
| 关键词：热蒸发;纳米同轴电缆;单晶;生长机理 |
| 主要内容：实验利用热蒸发法,以Au覆盖的Si(111)片作为基底,在1 300℃对单质镓加热不同的时间,制备出了一种特殊的纳米同轴电缆结构,并通过SEM(scanning electron microscopy)、XRD(X-ray diffract |
| 《首都师范大学学报(自然科学版)》 2017,38(04):24-28 |
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