| 局域表面等离激元对InGaN_GaN多量子阱发光效率的影响 |
| 许恒;闫龙;李玲;张源涛;张宝林; |
| 关键词：离子束沉积;Ag纳米粒子;局域表面等离激元;InGaN/GaN多量子阱;光致发光 |
| 主要内容：Ag纳米粒子的形貌对InGaN/Ga N多量子阱(MQWs)的光致发光(PL)效率有着显著影响。本文采用离子束沉积(IBD)技术将Ag沉积在InGaN/Ga N MQWs上,然后通过快速热退火处理制备Ag纳米粒子。通过改变Ag的沉积时间获得 |
| 《发光学报》 2017,38(03):324-330 |
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