| 空位缺陷对锯齿型硅纳米带电子结构和磁性的影响 |
| 杨艳妮;王成; |
| 关键词：硅纳米带;空位缺陷;电子结构;第一性原理 |
| 主要内容：基于密度泛函理论,采用广义梯度近似下的第一性原理投影缀加波赝势方法,系统的研究了单空位(双空位)缺陷对锯齿型硅纳米带电子结构和磁性的影响。结果表明:不同位置的单原子空位(双原子空位)锯齿型硅纳米带,结构弛豫后,都能得到一个九边环(八边环), |
| 《人工晶体学报》 2017,46(05):931-936 |
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