| 流化床-化学气相沉积法连续制备SiC纳米线 |
| 常家兴;刘荣正;刘马林;邵友林;刘兵; |
| 关键词：SiC;纳米线;流化床-化学气相沉积;宏量制备 |
| 主要内容：采用流化床化学气相沉积法,以甲基三氯硅烷为前躯体,二茂铁为催化剂成功制备出SiC纳米线。利用X射线衍射仪分析产物的物相,利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察样品的显微形貌。结果表明,在1200 ℃的制备条件下,所得纳米线为立方相β-SiC |
| 《陶瓷学报》 2017,38(03):305-308 |
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