| 脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长的热力学条件研究 |
| 秦爱丽;褚立志;邓泽超;丁学成;王英龙; |
| 关键词：蒙特卡洛方法;阻力模型;成核和生长 |
| 主要内容：文中利用蒙特卡洛方法,引入成核生长模型,研究了纳米硅晶粒成核生长过程。结合宏观阻力模型,计算了纳米硅成核和生长所对应的过饱和度范围。结果显示,衬底的二次溅射,造成成核次数增多,生成小尺寸纳米晶粒的数量增加;晶粒成核过程和生长过程所需要的过饱 |
| 《人工晶体学报》 2017,46(12):2343-2347 |
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