| 石墨烯上生长GaN纳米线 |
| 李悦文;陈琳;陈丁丁;张士英;陈鹏;修向前;张荣; |
| 关键词：氮化镓;纳米线;升华法;石墨烯;缓冲层 |
| 主要内容：采用金属Ga升华法在石墨烯/蓝宝石衬底上生长了高质量GaN纳米线,研究了不同的生长条件,如NH_3流量、反应时间、催化剂和缓冲层等对GaN纳米线形貌的影响,采用扫描电子显微镜(SEM)对GaN纳米线进行表征。研究发现,在适当的NH_3流量且 |
| 《半导体技术》 2017,42(05):382-386 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号