| 钇掺杂量和膜厚对HfO_2纳米薄膜相结构的影响 |
| 杨喜锐;王雪霞;周大雨;徐进;闫泳;梁海龙; |
| 关键词：HfO2薄膜;相变;钇含量;膜厚;溶胶-凝胶 |
| 主要内容：二氧化铪(HfO_2)是广泛应用于微电子器件制备的电介质绝缘材料,其高介电系数四方相或立方相的稳定受掺杂元素含量和薄膜厚度的共同影响。采用纯水基溶胶-凝胶法在低阻硅基底上制备不同厚度的钇掺杂HfO_2薄膜,通过对薄膜晶相结构的X射线衍射分析 |
| 《功能材料》 2017,48(10):10154-10158 |
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