| 快带速多层化CVD Nb_3Ge的研究 |
| 袁凤池,程彬吉,崔炳燊,张娜,祝胜华,梁季夫,宋迪民,吴昊,付继东 |
| 关键词：多层化;CVD Nb_3Ge;带速;等轴晶粒;工艺参数;气流量;成相;超导性能;临界电流密度;带材; |
| 主要内容：本文基于作者发展的一种制取高临界温度Nb_3Ge超导材料的快带速极薄多层CVD新技术,研究了一些工艺参数对Nb-Ge层的成份、成相和显微组织的影响。在带速为50—70m/h的Hastelloy B基体 |
| 《低温物理学报》 1988(2).109-115 |
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