| 半导体硅的仪器中子活化分析 |
| 钟红海,许汉卿,凌育远,胡国辉 |
| 关键词：半导体硅;相对法;比较器;中子活化分析;杨秀华;原子能研究所;全能峰;同位素丰度;中子通量;反应堆孔道; |
| 主要内容：本文应用中子活化分析的相对法和单一比较器法,对各种不同工艺生产的半导体硅中的杂质元素进行了研究。同时用理论的和实验的K值以及相对法,研究了中子活化分析的单一比较器法的可靠性。应用这两种方法测定了半导体 |
| 《分析测试通报》 1982(0).51-56 |
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