| A Bi-layer Composite Film Based on TiO_2 Hollow Spheres, P25,and Multi-walled Carbon Nanotubes |
| 平云霞;王曼乐;孟骁然;侯春雷;俞文杰;薛忠营;魏星;张苗; |
| 关键词:外延生长机理;铝插入层;镍硅锗薄膜 |
| 主要内容:文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部分移动到镍硅锗薄膜的表面.研究结果表明,铝 |
| 《物理学报》 2016(3).222-228 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |