| Cu互连中V、V-N和V_V-N薄膜的扩散阻挡性能 |
| 王翠萍;戴拖;卢勇;施展;张锦彬;刘兴军; |
| 关键词：扩散阻挡层;阻挡性能;堆栈结构;磁控溅射 |
| 主要内容：采用磁控溅射法在Si(100)基板上沉积厚度为50nm的V、V-N和V/V-N扩散阻挡层,并在扩散阻挡层上制备了厚度为300nm的Cu薄膜,最终获得了Cu/V/Si、Cu/V-N/Si和Cu/V/V-N/Si 3种多层薄膜.薄膜样品在300~750℃真空热处理1h后,通过X射线衍射(XRD)仪、扫描 |
| 《厦门大学学报(自然科学版)》 2016(6).810-814 |
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