| H_2气氛对采用MOCVD法在Si衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响 |
| 汤猛;李勇男;殷波;钟传杰; |
| 关键词：a-IGZO薄膜;H_2O_2溶液;椭圆偏振光谱;致密性 |
| 主要内容：基于溶液旋涂法和高压退火工艺制备了a-IGZO薄膜。采用椭圆偏振光谱分析仪以及原子力显微镜研究和分析了H_2O_2对薄膜的表面结构和光学特性的影响。实验结果表明,a-IGZO前驱液中不含H_2O_2的薄膜,退火温度从220℃升高到300℃,薄膜的光学带隙从3.03增加到3.29,而膜表面粗糙层由2 |
| 《液晶与显示》 2016(12).1124-1130 |
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