| In和Te掺杂PbSe薄膜制备及其对薄膜光电性能的影响机制 |
| 孙喜桂;佟占勇;高克玮;庞晓露;杨会生; |
| 关键词：PbSe薄膜;掺杂;磁控溅射;能带结构;光电敏感性 |
| 主要内容：采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜,并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeT |
| 《红外》 2016(2).43090 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号