| Ni_3S_2_SiC复合电极的制备及光电催化性能研究 |
| 刘巧丽;刘军伟;李春波;李廷取;路大勇; |
| 关键词：相变特性;Ge2Sb2Te5;N掺杂;原位XRD;结晶温度 |
| 主要内容：采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明:室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温~375℃温度范围内,纯GST薄膜发生了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;然而,当N2流量为12.8 sccm时,N掺杂GST薄膜则发生了非晶态→六方晶态直接相转变. |
| 《吉林化工学院学报》 2016(3).80-82 |
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