| N掺杂TiO_2复合膜中N晶格位置转变 |
| 刘光辉;江晓红;庄玉召;陆路德;PILIPTSOU D G; |
| 关键词：N掺杂Ti薄膜;N掺杂TiO2薄膜;替代型N;填隙型N |
| 主要内容：采用磁过滤真空直流阴极弧蒸发工艺在石英基底上沉积N掺杂Ti薄膜,随后将其在马弗炉中以不同的退火温度(100~700℃)热处理制备N掺杂TiO_2薄膜,采用X线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、X线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析表征。结果表明:初始态N掺杂Ti薄膜为包含少 |
| 《南京工业大学学报(自然科学版)》 2016(6).70-75 |
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