| 薄膜太阳电池缓冲层硫化镉的制备 |
| 张哲浩;吕建国;江庆军;叶志镇; |
| 关键词：ZnO∶Ga薄膜;应力;基片曲率法;直流磁控溅射;有机衬底 |
| 主要内容：在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释 |
| 《材料科学与工程学报》 2016(3).348-352+366 |
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