| 磁控溅射法制备Si_(1-x)Ge_x_B多层薄膜及其热电性能研究 |
| 杜鑫;苗蕾;刘呈燕;王潇漾; |
| 关键词：热电材料;硅锗薄膜;纳米结构;热电性能 |
| 主要内容：本文通过磁控溅射法制备了一种独特的Si Ge/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能,结果表明:B掺杂的溅射时间最佳为30 s;当退火温度为650℃时,薄膜的致密性最好,且在此温度下具有较高的Seebeck系数,最大值为6. |
| 《新能源进展》 2016(5).345-350 |
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