| 磁控溅射法制备钼薄膜的研究现状 |
| 李金泽;沈鸿烈;任学明; |
| 关键词：CZGexT1-xS薄膜;溅射;Ge损失;霍尔效应 |
| 主要内容：用先磁控溅射多层金属膜预置层后硫化的方法成功制备出CZGe_xT_(1-x)S薄膜,并主要研究了Ge含量对于该薄膜光电学性能的影响。分别采用X射线衍射仪、X射线能量色散谱仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜,紫外-可见-近红外分光光度计和霍尔效应测量仪对不同Ge含量的CZGe_xT_(1-x)S薄W |
| 《真空科学与技术学报》 2016(3).357-361 |
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