磁控溅射过程中衬底温度对氧化锌薄膜物性的影响
 
赵艳;殷红;李红东;

关键词:立方氮化硼;射频磁控溅射;偏压;厚膜
 
主要内容:采用两步沉积法利用射频磁控溅射手段在p型硅片面上生长立方氮化硼(c-BN)厚膜,在常规的氩气和氮气混合工作气体中加入了氢气,并研究了不同氢气流量比、衬底温度以及衬底偏压等工作参数对c-BN膜的立方相含量和沉积速率的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR
 
《超硬材料工程》  2016(5).22-26
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