| 磁控溅射制备Nb掺杂IZO薄膜光电学性能研究 |
| 曹明杰;赵明;庄大明;郭力;欧阳良琦;孙汝军;詹世璐; |
| 关键词：无机非金属材料;Nb掺杂IZO;INZO;光致发光;迁移率;磁控溅射 |
| 主要内容：通过磁控溅射方法制备一种新型薄膜晶体管有源层材料Nb掺杂的氧化铟锌(IZO)非晶薄膜(a-INZO)。运用XRD、光致发光、Hall测试等检测方法分析INZO薄膜微观结构、缺陷状态以及电学性能。光致发光结果表明,INZO相较于Ga掺杂的IZO(IGZO)具有更低的深能级缺陷密度。Hall效应测试结果 |
| 《材料研究学报》 2016(9).649-654 |
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