| 低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究 |
| 王凯;邢艳辉;韩军;赵康康;郭立建;于保宁;李影智; |
| 关键词：薄膜;p型GaN;Delta掺杂;低源流量;金属有机物化学气相沉积 |
| 主要内容：利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm~3/min的CP_2Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×10~(17) cm~(-3),(002 |
| 《半导体光电》 2016(2).229-231+237 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号