| 基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究 |
| 周晶晶;肖少庆;姚尧;顾晓峰; |
| 关键词：SiNx;等离子体化学气相沉积;表面钝化;容性放电 |
| 主要内容：本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(Si H_4)、氮气(N_2)和氢气(H_2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(Si Nx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS) |
| 《人工晶体学报》 2016(3).623-628 |
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