| 气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心 |
| 王海龙;韦志禄;李耀耀;王凯;潘文武;吴晓燕;岳丽;李士玲; |
| 关键词：InPBi;深中心;深能级瞬态谱(DLTS);气源分子束外延(GSMBE) |
| 主要内容：利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10~(-15)cm~2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.024 |
| 《发光学报》 2016(12).1532-1537 |
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