| 射频磁控溅射法制备Ti掺杂ITO薄膜的厚度对膜结构与光电性能的影响 |
| 马春红;李士娜;马瑞新;朱鸿民; |
| 关键词：射频磁控溅射;半导体;ITO:Ti薄膜;薄膜厚度;光电性能 |
| 主要内容：利用Ti掺杂ITO靶材,采用单靶磁控溅射法在玻璃基底上制备厚度为50~300 nm的ITO:Ti薄膜。借助X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、可见光分光光度计、霍尔测试系统和四探针电阻测量仪,研究薄膜厚度对薄膜的晶体结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:ITO:Ti薄膜呈现(400)择 |
| 《粉末冶金材料科学与工程》 2016(3).503-507 |
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