| 退火对P(VDF-HFP)共聚物薄膜结构和介电性能的影响 |
| 花银群;季平;陈瑞芳;赵杉月; |
| 关键词：无机非金属材料;ZnO基陶瓷薄膜;射频磁控溅射;退火温度 |
| 主要内容：采用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上生长ZnO基陶瓷薄膜,分别在650℃,750℃,850℃和900℃下退火,研究了退火温度对ZnO基陶瓷薄膜压敏性能的影响。结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的压敏电压逐渐增大,非线性系数先增大后减小,漏电流密度先减小后增大。850℃退火处理后的薄膜? |
| 《真空科学与技术学报》 2016(2).141-145 |
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