| 退火温度对CdSe纳米薄膜的形成及光电性能影响 |
| 徐哲;薛晋波;杨慧娟;武军伟;胡兰青; |
| 关键词：电化学沉积;CdSe纳米薄膜;退火温度;光电响应效应 |
| 主要内容：在室温下,采用循环伏安法在ITO上沉积CdSe纳米薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-可见(UV-VIS)分光光度计以及电化学工作站对不同温度退火后的CdSe纳米薄膜的晶体结构、形貌、光学性能、光电化学性能进行 |
| 《无机化学学报》 2016(4).589-594 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号